基礎から学ぶ半導体電子デバイス

大谷 直毅 森北出版キソカラマナブハンドウタイデンシデバイス オオタニ ナオキ 発行年月：2019年10月05日 予約締切日：2019年09月05日 ページ数：192p サイズ：単行本 ISBN：9784627776210 大谷直毅（オオタニナオキ） 1994年北海道大学大学院工学研究科博士後期課程修了、博士（工学）。株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所客員研究員。2001年総務省通信総合研究所（現独立行政法人情報通信研究機構）光エレクトロニクスグループリーダー。2005年同志社大学工学部助教授。2011年同志社大学理工学部教授。専門：半導体光デバイス、光電子物性、ナノ構造の物理とその応用（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです） 半導体の基礎／半導体中のキャリア密度／半導体中のキャリア輸送現象／pn接合ダイオード／金属と半導体の接合による整流特性／バイポーラトランジスタ／接合型電界効果トランジスタ／MOSダイオード／MOSFET／MOS集積回路／MESFET／付録A　エネルギーバンド構造について／付録B　状態密度の計算方法／付録C　有効質量の概念、直接遷移型と間接遷移型半導体／付録D　価電子帯のエネルギーと正孔の概念／付録E　ヘテロ接合、トンネル効果、半導体超格子／付録F　ショットキー接合の電流ー電圧特性／付録G　バイポーラトランジスタの電流利得に関する補足 「半導体の概念」から「デバイスの基本動作」まで、ミクロな現象の本質がわかる。 本 科学・技術 工学 電気工学

発売日:2019年10月 / ジャンル:建築・理工 / フォーマット:本 / 出版社:森北出版 / 発売国:日本 / ISBN:9784627776210 / アーティストキーワード:大谷直毅

内容詳細:「半導体の概念」から「デバイスの基本動作」まで、ミクロな現象の本質がわかる。目次:半導体の基礎/ 半導体中のキャリア密度/ 半導体中のキャリア輸送現象/ ｐｎ接合ダイオード/ 金属と半導体の接合による整流特性/ バイポーラトランジスタ/ 接合型電界効果トランジスタ/ ＭＯＳダイオード/ ＭＯＳＦＥＴ/ ＭＯＳ集積回路/ ＭＥＳＦＥＴ/ 付録Ａ　エネルギーバンド構造について/ 付録Ｂ　状態密度の計算方法/ 付録Ｃ　有効質量の概念、直接遷移型と間接遷移型半導体/ 付録Ｄ　価電子帯のエネルギーと正孔の概念/ 付録Ｅ　ヘテロ接合、トンネル効・・・