タウア・ニン 最新VLSIの基礎 第2版

ユアン・タウア タック・H．ニン 丸善出版BKSCPN_【高額商品】 サイシン ヴイエルエスアイ ノ キソ タウア,ユアン ニン,タック・H. 発行年月：2013年01月 ページ数：721p サイズ：単行本 ISBN：9784621085813 原著第2版 芝原健太郎（シバハラケンタロウ） 広島大学ナノデバイス・システム研究センター。2011年4月21日逝去 宮本恭幸（ミヤモトヤスユキ） 東京工業大学大学院理工学研究科 内田建（ウチダケン） 慶應義塾大学理工学部（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです） 序章／デバイス物理の基礎／MOSFETデバイス／CMOSデバイス設計／CMOS性能因子／バイポーラデバイス／メモリデバイス／SOIデバイス〔ほか〕 初版より、すべての章が加筆改訂された改訂2版の翻訳書。MOSFETのスケール長の理論や高電界輸送モデル、SiGeベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属ーシリコンのコンタクト、CMOS回路のノイズマージンおよびRF応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、SOIデバイスについて新たに二つの章が追加された。 本 科学・技術 工学 電気工学

初版より、すべての章が加筆改訂された改訂2版の翻訳書。MOSFETのスケール長の理論や高電界輸送モデル、SiGeベースバイポーラデバイスの設計などの新たな題材を加えたのみならず、金属‐シリコンのコンタクト、CMOS回路のノイズマージンおよびRF応用向けの性能指数を含めて基本的なデバイスの物理と回路に関する議論が拡大されている。さらにメモリデバイス、SOIデバイスについて新たに二つの章が追加された。